casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 7006S35J8
Número de pieza del fabricante | 7006S35J8 |
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Número de parte futuro | FT-7006S35J8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7006S35J8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 68-LCC (J-Lead) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 68-PLCC (24.21x24.21) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7006S35J8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 7006S35J8-FT |
7005L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L35JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L35JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L35PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L35PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel