Número de pieza del fabricante | 6A01B-G |
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Número de parte futuro | FT-6A01B-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6A01B-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 6A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | R6, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | R-6 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A01B-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 6A01B-G-FT |
HER102-T
Diodes Incorporated
HER103-T
Diodes Incorporated
HER104-T
Diodes Incorporated
HER105-T
Diodes Incorporated
PR1001GL-T
Diodes Incorporated
PR1001L-T
Diodes Incorporated
PR1002GL-T
Diodes Incorporated
PR1002L-T
Diodes Incorporated
PR1003GL-T
Diodes Incorporated
PR1003L-T
Diodes Incorporated
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel