casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 6116SA70TDB
Número de pieza del fabricante | 6116SA70TDB |
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Número de parte futuro | FT-6116SA70TDB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6116SA70TDB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA70TDB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 6116SA70TDB-FT |
S29GL064N11WEI049
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHI020
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHV020
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHV023
Cypress Semiconductor Corp
S70KS1281DPBHI020
Cypress Semiconductor Corp
S70KS1281DPBHV020
Cypress Semiconductor Corp
S71KL256SC0BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S71KL256SC0BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S99-50480
Cypress Semiconductor Corp
S99-50481
Cypress Semiconductor Corp
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel