casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 6116SA70TDB
Número de pieza del fabricante | 6116SA70TDB |
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Número de parte futuro | FT-6116SA70TDB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6116SA70TDB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA70TDB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 6116SA70TDB-FT |
S29GL064N11WEI049
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHI020
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHV020
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHV023
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S70KS1281DPBHI020
Cypress Semiconductor Corp
S70KS1281DPBHV020
Cypress Semiconductor Corp
S71KL256SC0BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S71KL256SC0BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S99-50480
Cypress Semiconductor Corp
S99-50481
Cypress Semiconductor Corp
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
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LFE2-70E-6FN900I
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A54SX16-1VQ100I
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5SGSED6N3F45I4N
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5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel