casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 6116SA20DB
Número de pieza del fabricante | 6116SA20DB |
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Número de parte futuro | FT-6116SA20DB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6116SA20DB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 20ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA20DB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 6116SA20DB-FT |
71V416S15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel