casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 6116LA150TDB
Número de pieza del fabricante | 6116LA150TDB |
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Número de parte futuro | FT-6116LA150TDB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6116LA150TDB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 150ns |
Tiempo de acceso | 150ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116LA150TDB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 6116LA150TDB-FT |
S29GL064N11WEI039
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N11WEI049
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHI020
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHV020
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHV023
Cypress Semiconductor Corp
S70KS1281DPBHI020
Cypress Semiconductor Corp
S70KS1281DPBHV020
Cypress Semiconductor Corp
S71KL256SC0BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S71KL256SC0BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S99-50480
Cypress Semiconductor Corp
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel