casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 6116LA120TDB
Número de pieza del fabricante | 6116LA120TDB |
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Número de parte futuro | FT-6116LA120TDB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6116LA120TDB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 120ns |
Tiempo de acceso | 120ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116LA120TDB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 6116LA120TDB-FT |
S29GL256S90GHI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S90GHI020
Cypress Semiconductor Corp
70T3339S133BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26L25G
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S4BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
M34M02-DXCT2TP/K
STMicroelectronics
MX25R8035FBEIHH
Macronix
MX25U51245GMI
Macronix
MX25U51245GMI0A
Macronix
MX25U51245GXDI0A
Macronix
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel