Número de pieza del fabricante | 60EPS12 |
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Número de parte futuro | FT-60EPS12 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
60EPS12 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 60A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 60A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-247-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AC Modified |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
60EPS12 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 60EPS12-FT |
VS-8ETH03-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH06-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1520-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25PB60PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel