casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 602-20012
Número de pieza del fabricante | 602-20012 |
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Número de parte futuro | FT-602-20012 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
602-20012 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 400ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
602-20012 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 602-20012-FT |
GD25Q127CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel