casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 602-20012
Número de pieza del fabricante | 602-20012 |
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Número de parte futuro | FT-602-20012 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
602-20012 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 400ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
602-20012 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 602-20012-FT |
GD25Q127CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
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AT40K20AL-1BQU
Microchip Technology
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Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-BGG272I
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A54SX32A-1TQ176
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484C
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5SGXMB5R1F40C1N
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10CL010YE144C8G
Intel
XCS30XL-4BG256C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19C7N
Intel