casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / 55JR10E
Número de pieza del fabricante | 55JR10E |
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Número de parte futuro | FT-55JR10E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 50 |
55JR10E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 100 mOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 5W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | - |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | - |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.315" Dia x 0.827" L (8.00mm x 21.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
55JR10E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 55JR10E-FT |
WHBR50FET
Ohmite
WNBR25FET
Ohmite
WHBR25FET
Ohmite
WNBR10FET
Ohmite
WHBR10FET
Ohmite
WHB75RFET
Ohmite
WNB75RFET
Ohmite
WHB750FET
Ohmite
WHB5R0FET
Ohmite
WNB5R0FET
Ohmite
XC2S100-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75-L1FG676I
Xilinx Inc.
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-3FGG484C
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FGG484I
Microsemi Corporation
XC2V3000-5BG728I
Xilinx Inc.
EP2AGX95EF35C6N
Intel