casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 55GN01CA-TB-E
Número de pieza del fabricante | 55GN01CA-TB-E |
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Número de parte futuro | FT-55GN01CA-TB-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
55GN01CA-TB-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 10V |
Frecuencia - Transición | 4.5GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 1GHz |
Ganancia | 9.5dB |
Potencia - max | 200mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 70mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-CP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
55GN01CA-TB-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 55GN01CA-TB-E-FT |
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
LFE2M100SE-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C6
Intel
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Intel
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LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-2NGZ
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