casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / 53J1K0E
Número de pieza del fabricante | 53J1K0E |
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Número de parte futuro | FT-53J1K0E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 50 |
53J1K0E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 1 kOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 3W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | - |
Coeficiente de temperatura | ±30ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | - |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.220" Dia x 0.551" L (5.60mm x 14.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
53J1K0E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 53J1K0E-FT |
WHC15RFET
Ohmite
WNC15RFET
Ohmite
WNC150FET
Ohmite
WHC150FET
Ohmite
WHC10RFET
Ohmite
WNC10RFET
Ohmite
WHC100FET
Ohmite
WNC100FET
Ohmite
WHBR75FET
Ohmite
WNBR75FET
Ohmite
A54SX16A-1TQG144
Microsemi Corporation
AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C7N
Intel
5SGXEA3K2F35I2N
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PL84I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35I2N
Intel