casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / 517D475M100JA6AE3
Número de pieza del fabricante | 517D475M100JA6AE3 |
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Número de parte futuro | FT-517D475M100JA6AE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 517D |
517D475M100JA6AE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 4.7µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 100V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 37mA @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 74mA @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 0.079" (2.00mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.433" (11.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
517D475M100JA6AE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 517D475M100JA6AE3-FT |
861141483007
Wurth Electronics Inc.
861141484008
Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
EPF6016ATC144-1N
Intel
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Intel
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Intel
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H1F35C1N
Intel