casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / 4N35S1(TB)
Número de pieza del fabricante | 4N35S1(TB) |
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Número de parte futuro | FT-4N35S1(TB) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N35S1(TB) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 100% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 10µs, 9µs |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 80V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 300mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 110°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N35S1(TB) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 4N35S1(TB)-FT |
EL817(S1)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817S(A)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817S(B)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817S(C)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
XC3S50A-4TQG144I
Xilinx Inc.
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
5CGXBC7B7M15C8N
Intel
XC5VLX30T-3FFG665C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G4F35I5N
Intel
EP3SL70F780I3
Intel