casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / 4N35S1(TB)-V
Número de pieza del fabricante | 4N35S1(TB)-V |
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Número de parte futuro | FT-4N35S1(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N35S1(TB)-V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 100% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 10µs, 9µs |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 80V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 300mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 110°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N35S1(TB)-V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 4N35S1(TB)-V-FT |
EL817(S1)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)
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EL817(S1)(TB)-G
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EL817(S1)(TB)-V
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EL817(S1)(TB)-VG
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EL817S(A)(TA)-V
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EL817S(B)(TA)-V
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EL817S(C)(TA)-V
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EL817S(D)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
A3PN030-Z2QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4008E-2PQ208C
Xilinx Inc.
AT40K40-2EQI
Microchip Technology
10CL006YU256C6G
Intel
5SGXMA9N3F45I3LN
Intel
M1A3P1000L-1FGG144
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EP3C40F324C6N
Intel