casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / 4N32S(TA)-V
Número de pieza del fabricante | 4N32S(TA)-V |
---|---|
Número de parte futuro | FT-4N32S(TA)-V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N32S(TA)-V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 500% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 5µs, 100µs (Max) |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Darlington with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 55V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 1V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N32S(TA)-V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 4N32S(TA)-V-FT |
EL817(S1)(B)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
A3P125-TQ144
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-L1FFG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-FG484I
Microsemi Corporation
10M40DAF484C8G
Intel
EP3C55U484C7N
Intel
EP20K200FC484-2XV
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2M50E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1508C5N
Intel