casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / 4N32M-V
Número de pieza del fabricante | 4N32M-V |
---|---|
Número de parte futuro | FT-4N32M-V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N32M-V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 500% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 5µs, 100µs (Max) |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Darlington with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 55V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 1V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N32M-V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 4N32M-V-FT |
4N25SR2VM
ON Semiconductor
4N27SR2M
ON Semiconductor
CNY17F2SVM
ON Semiconductor
CNY17F4SR2M
ON Semiconductor
4N27SM
ON Semiconductor
CNY17F2SR2VM
ON Semiconductor
H11AA1SR2VM
ON Semiconductor
H11AA1SVM
ON Semiconductor
MOC8106SR2VM
ON Semiconductor
CNY171SM
ON Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC2S15-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQ208
Microsemi Corporation
EP20K600CF672I8AA
Intel
EP4SGX290NF45C2
Intel
A3P060-FG144
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation