casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / 4N32M-V
Número de pieza del fabricante | 4N32M-V |
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Número de parte futuro | FT-4N32M-V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N32M-V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 500% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 5µs, 100µs (Max) |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Darlington with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 55V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 1V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N32M-V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 4N32M-V-FT |
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Xilinx Inc.
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