casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / 4N31S(TB)-V
Número de pieza del fabricante | 4N31S(TB)-V |
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Número de parte futuro | FT-4N31S(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N31S(TB)-V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 50% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 5µs, 40µs (Max) |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Darlington with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 55V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 1.2V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N31S(TB)-V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 4N31S(TB)-V-FT |
EL817(S1)(A)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
LFE2-12SE-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-3FG484C
Xilinx Inc.
EPF10K250EBC600-3
Intel
5SGSMD4E3H29C2N
Intel
EP2AGX65DF25C6N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XC5VLX85T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7VX550T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation