casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / 4N31S(TA)-V
Número de pieza del fabricante | 4N31S(TA)-V |
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Número de parte futuro | FT-4N31S(TA)-V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N31S(TA)-V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 50% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 5µs, 40µs (Max) |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Darlington with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 55V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 1.2V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N31S(TA)-V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 4N31S(TA)-V-FT |
EL817(S1)(A)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TB)-G
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EL817(S1)(A)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TB)-VG
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EL817(S1)(B)(TA)
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EL817(S1)(B)(TA)-G
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EL817(S1)(B)(TA)-V
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EL817(S1)(B)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
XC6SLX100T-4CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2FT256I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
EP2AGX45CU17C4N
Intel
EP20K400EBC652-1N
Intel