casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / 4N30S1(TB)-V
Número de pieza del fabricante | 4N30S1(TB)-V |
---|---|
Número de parte futuro | FT-4N30S1(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N30S1(TB)-V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 100% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 5µs, 40µs (Max) |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Darlington with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 55V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 1V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N30S1(TB)-V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 4N30S1(TB)-V-FT |
EL817(S1)(A)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(A)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
LCMXO2-1200ZE-2TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C5
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
10CX220YF672I6G
Intel
XC2V6000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
10AX022E3F29E1SG
Intel
EP1C12Q240I7N
Intel
10M02DCV36I7G
Intel