casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / 4N29S1(TB)-V
Número de pieza del fabricante | 4N29S1(TB)-V |
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Número de parte futuro | FT-4N29S1(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N29S1(TB)-V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 100% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 5µs, 40µs (Max) |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Darlington with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 55V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 1V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N29S1(TB)-V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 4N29S1(TB)-V-FT |
EL817(S)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TA)-V
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EL817(S)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TB)
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EL817(S)(TB)-G
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EL817(S)(TB)-V
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EL817(S)(TB)-VG
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EL817(S1)(A)(TA)
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EL817(S1)(A)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
A54SX08A-PQ208A
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCG484I
Microsemi Corporation
EP4CE15E22I8L
Intel
5SGSMD8N3F45C2LN
Intel
XC5VLX30-2FF676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508I4
Intel
EP3C40F324C7N
Intel