casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / 4N28S1(TA)-V
Número de pieza del fabricante | 4N28S1(TA)-V |
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Número de parte futuro | FT-4N28S1(TA)-V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N28S1(TA)-V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 10% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 3µs, 3µs |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 80V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 500mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 110°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N28S1(TA)-V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 4N28S1(TA)-V-FT |
EL817(S)(C)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TB)-VG
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EL817(S)(D)(TA)
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EL817(S)(D)(TA)-G
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EL817(S)(D)(TA)-VG
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EL817(S)(D)(TB)
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EL817(S)(D)(TB)-G
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EL817(S)(D)(TB)-V
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EL817(S)(D)(TB)-VG
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XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
EP4SE360F35I3
Intel
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX057K2F35E1SG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel