Número de pieza del fabricante | 4GBL01 |
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Número de parte futuro | FT-4GBL01 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4GBL01 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Three Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBL |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4GBL01 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 4GBL01-FT |
GBU4K-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4M-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4M-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6A-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6A-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6B-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6B-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6D-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6D-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP3C25E144C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
A42MX09-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6MG328C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA2U19C8N
Intel
EP2SGX90FF1508I4
Intel