Número de pieza del fabricante | 3SM6 |
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Número de parte futuro | FT-3SM6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
3SM6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 3A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 92pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3SM6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 3SM6-FT |
SBR2060CTI
Diodes Incorporated
SBR20A45D1-13
Diodes Incorporated
SBR2M60S1FQ-7
Diodes Incorporated
SBR2U60S1FQ-7
Diodes Incorporated
SBRT10U60D1Q-13
Diodes Incorporated
SDM1U100S1F-7
Diodes Incorporated
SDM2100S1F-7
Diodes Incorporated
SDM2A40CSP-7B
Diodes Incorporated
SDT10100P5-13
Diodes Incorporated
SDT10100P5-13D
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel