casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / 3SK264-5-TG-E
Número de pieza del fabricante | 3SK264-5-TG-E |
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Número de parte futuro | FT-3SK264-5-TG-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
3SK264-5-TG-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | N-Channel Dual Gate |
Frecuencia | 200MHz |
Ganancia | 23dB |
Voltaje - prueba | 6V |
Valoración actual | 30mA |
Figura de ruido | 2.2dB |
Corriente - Prueba | 10mA |
Salida de potencia | - |
Tensión nominal | 15V |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-CP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3SK264-5-TG-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 3SK264-5-TG-E-FT |
BF999E6433HTMA1
Infineon Technologies
MMBF102
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