Número de pieza del fabricante | 3N257 |
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Número de parte futuro | FT-3N257 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
3N257 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 3.14A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, KBPM |
Paquete del dispositivo del proveedor | KBPM |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3N257 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 3N257-FT |
KBU8J
GeneSiC Semiconductor
KBU6B
GeneSiC Semiconductor
KBU6D
GeneSiC Semiconductor
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KBPC5010T
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GeneSiC Semiconductor
KBPC15010T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1501T
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KBPC1504T
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XC6SLX9-3FTG256C
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XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
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M1A3PE3000-1FG484
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EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
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A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel