Número de pieza del fabricante | 30EPF02 |
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Número de parte futuro | FT-30EPF02 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
30EPF02 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 30A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.41V @ 30A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 160ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-247-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AC Modified |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
30EPF02 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 30EPF02-FT |
VI20120SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30120SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI40100GHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VIT1080SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation