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ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E

Número de pieza de MFG
2SK3666-3-TB-E
Cantidad disponible
80860 Piezas
Precio de referencia
USD 0.076912
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - JFETs
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
2SK3666-3-TB-E Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) -
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 1.2mA @ 10V
Drenaje Actual (Id) - Max 10mA
Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id 180mV @ 1µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4pF @ 10V
Resistencia - RDS (On) 200 Ohms
Potencia - max 200mW
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor 3-CP
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK3666-3-TB-E Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto 2SK3666-3-TB-E-FT

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