casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2SJ652
Número de pieza del fabricante | 2SJ652 |
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Número de parte futuro | FT-2SJ652 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SJ652 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 28A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4360pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220ML |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SJ652 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SJ652-FT |
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