casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2SD2206(TE6,F,M)
Número de pieza del fabricante | 2SD2206(TE6,F,M) |
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Número de parte futuro | FT-2SD2206(TE6,F,M) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD2206(TE6,F,M) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 2A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 100V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 10µA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
Potencia - max | 900mW |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92MOD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2206(TE6,F,M) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SD2206(TE6,F,M)-FT |
2SA965-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-Y(F,M)
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2SA965-Y(T6CANO,FM
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XC2V8000-5FFG1152I
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel