casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2SD12770P
Número de pieza del fabricante | 2SD12770P |
---|---|
Número de parte futuro | FT-2SD12770P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD12770P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 8A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 60V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 8mA, 4A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100µA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4000 @ 4A, 3V |
Potencia - max | 2W |
Frecuencia - Transición | 20MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F-A1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD12770P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SD12770P-FT |
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,CKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,LBS2DIAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931(NOMARK,A,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,BOSCHQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,KEHINQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M25DAF484I6G
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
5SGXEB6R3F43I3LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780I6
Intel
EPF10K50RI240-4
Intel