casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5347AF-TD-E
Número de pieza del fabricante | 2SC5347AF-TD-E |
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Número de parte futuro | FT-2SC5347AF-TD-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC5347AF-TD-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 4.7GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 1GHz |
Ganancia | 8dB |
Potencia - max | 1.3W |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 50mA, 5V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 150mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-243AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | PCP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5347AF-TD-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SC5347AF-TD-E-FT |
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102B96
Renesas Electronics America Inc.
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2714-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25CF672C6N
Intel
5SGXEA5K2F40I3N
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-FGG144I
Microsemi Corporation
EP1S40B956C5
Intel