casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5347AE-TD-E
Número de pieza del fabricante | 2SC5347AE-TD-E |
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Número de parte futuro | FT-2SC5347AE-TD-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC5347AE-TD-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 4.7GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 1GHz |
Ganancia | 8dB |
Potencia - max | 1.3W |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 50mA, 5V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 150mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-243AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | PCP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5347AE-TD-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SC5347AE-TD-E-FT |
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102B96
Renesas Electronics America Inc.
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
AFS1500-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3P400-1PQG208I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z1VQG100
Microsemi Corporation
10AX027E2F29E2LG
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FF1927I
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196C
Xilinx Inc.
EP3SE80F780C4LN
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EPF10K30AQI208-3
Intel