casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5347AE-TD-E
Número de pieza del fabricante | 2SC5347AE-TD-E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-2SC5347AE-TD-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC5347AE-TD-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 4.7GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 1GHz |
Ganancia | 8dB |
Potencia - max | 1.3W |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 50mA, 5V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 150mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-243AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | PCP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5347AE-TD-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SC5347AE-TD-E-FT |
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102B96
Renesas Electronics America Inc.
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
EP2C15AF256C6N
Intel
5SGXMB5R3F43I3N
Intel
EP4CGX30BF14I7N
Intel
A40MX02-3PL44
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX02-PQG100
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C4N
Intel
EPF6024AQC240-2N
Intel