casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5227A-4-TB-E
Número de pieza del fabricante | 2SC5227A-4-TB-E |
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Número de parte futuro | FT-2SC5227A-4-TB-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC5227A-4-TB-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 10V |
Frecuencia - Transición | 7GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1dB @ 1GHz |
Ganancia | 12dB |
Potencia - max | 200mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 20mA, 5V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 70mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-CP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5227A-4-TB-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SC5227A-4-TB-E-FT |
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ
Renesas Electronics America Inc.
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG208I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
Intel
EPF10K200EBC600-2
Intel
EP3C40F484C6
Intel
5SGXEA5N2F40C3N
Intel
10CX220YF780E5G
Intel
5SGXEA9N3F45I3L
Intel
5SGXEB9R2H43I3N
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation