casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2SC2712-Y,LF
Número de pieza del fabricante | 2SC2712-Y,LF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-2SC2712-Y,LF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC2712-Y,LF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
Potencia - max | 150mW |
Frecuencia - Transición | 80MHz |
Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | S-Mini |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC2712-Y,LF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SC2712-Y,LF-FT |
2SB1457(T6DW,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457,T6TOTOF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457,T6YMEF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC1627A-O,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC1627A-Y,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229(TE6SAN1F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(MIT1F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(MITIF,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2229-O(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1517C
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325Q
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-3FFG1154C
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30CF780C5
Intel
EP3SL150F780I3N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel