casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2SB1260T100P
Número de pieza del fabricante | 2SB1260T100P |
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Número de parte futuro | FT-2SB1260T100P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1260T100P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 80V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 100mA, 3V |
Potencia - max | 2W |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-243AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | MPT3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1260T100P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SB1260T100P-FT |
2SCR552P5T100
Rohm Semiconductor
2SCR346PT100Q
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Rohm Semiconductor
2SAR513P5T100
Rohm Semiconductor
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel