casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2SA965-O(TE6,F,M)
Número de pieza del fabricante | 2SA965-O(TE6,F,M) |
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Número de parte futuro | FT-2SA965-O(TE6,F,M) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA965-O(TE6,F,M) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 120V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
Potencia - max | 900mW |
Frecuencia - Transición | 120MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Paquete del dispositivo del proveedor | LSTM |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA965-O(TE6,F,M) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SA965-O(TE6,F,M)-FT |
BC850BWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC850CWE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC850CWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC856BWE6327BTSA1
Infineon Technologies
BC857BWE6327BTSA1
Infineon Technologies
BC857BWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC857BWH6778XTSA1
Infineon Technologies
BC857CWE6327BTSA1
Infineon Technologies
BC857CWE6433HTMA1
Infineon Technologies
BC857CWH6327XTSA1
Infineon Technologies
LFXP6C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1FG484C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
A3PN060-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C8
Intel
XC4VLX160-11FFG1148I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3LG
Intel