casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2SA2013-TD-E
Número de pieza del fabricante | 2SA2013-TD-E |
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Número de parte futuro | FT-2SA2013-TD-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA2013-TD-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 4A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 100mA, 2A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1µA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Potencia - max | 3.5W |
Frecuencia - Transición | 400MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-243AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | PCP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA2013-TD-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SA2013-TD-E-FT |
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