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GeneSiC Semiconductor 2N7639-GA
- Número de pieza de MFG
- 2N7639-GA
- Cantidad disponible
- 50590 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
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- fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Breve descripción
- - TRANS SJT 650V 15A TO-257
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- 2N7639-GA.pdf
2N7639-GA Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | 2N7639-GA |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-2N7639-GA |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| 2N7639-GA Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | - |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Tc) (155°C) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 15A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1534pF @ 35V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 172W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-257 |
| Paquete / Caja | TO-257-3 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2N7639-GA Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | 2N7639-GA-FT |
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