casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N7002WT1G
Número de pieza del fabricante | 2N7002WT1G |
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Número de parte futuro | FT-2N7002WT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N7002WT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 310mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 24.5pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 280mW (Tj) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-70-3 (SOT323) |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002WT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N7002WT1G-FT |
3LN01C-TB-H
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3LP01C-TB-E
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