casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N7002W-7
Número de pieza del fabricante | 2N7002W-7 |
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Número de parte futuro | FT-2N7002W-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N7002W-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 115mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 50mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 50pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 200mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-323 |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002W-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N7002W-7-FT |
DMG4468LFG-7
Diodes Incorporated
DMG4468LFG
Diodes Incorporated
DMN4020LFDE-7
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DMP2021UFDE-13
Diodes Incorporated
EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
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A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
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