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NXP USA Inc. 2N7000,126

Número de pieza de MFG
2N7000,126
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41930 Piezas
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fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
2N7000,126 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 300mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 40pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 830mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N7000,126 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto 2N7000,126-FT

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