casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N6849
Número de pieza del fabricante | 2N6849 |
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Número de parte futuro | FT-2N6849 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6849 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-39 |
Paquete / Caja | TO-205AF Metal Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6849 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N6849-FT |
PH6030AL,115
Nexperia USA Inc.
PH6030L,115
NXP USA Inc.
PH6325L,115
Nexperia USA Inc.
PH6530AL,115
NXP USA Inc.
PH7030AL,115
Nexperia USA Inc.
PH7030L,115
NXP USA Inc.
PH8030L,115
NXP USA Inc.
PH8230E,115
Nexperia USA Inc.
PH9025L,115
NXP USA Inc.
PH9030AL,115
NXP USA Inc.
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
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Intel