casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2N5830_D26Z
Número de pieza del fabricante | 2N5830_D26Z |
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Número de parte futuro | FT-2N5830_D26Z |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5830_D26Z Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 100V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Potencia - max | 625mW |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5830_D26Z Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N5830_D26Z-FT |
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5SGSED6K2F40I3N
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5SGXEB6R2F40C2LN
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LCMXO2-2000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
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10AX022E3F29E1SG
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EPF10K50SQC208-2X
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