casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2N5551ZL1G
Número de pieza del fabricante | 2N5551ZL1G |
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Número de parte futuro | FT-2N5551ZL1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5551ZL1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 160V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Potencia - max | 625mW |
Frecuencia - Transición | 300MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5551ZL1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N5551ZL1G-FT |
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