casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2N5550BU
Número de pieza del fabricante | 2N5550BU |
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Número de parte futuro | FT-2N5550BU |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5550BU Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 140V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Potencia - max | 625mW |
Frecuencia - Transición | 300MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5550BU Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N5550BU-FT |
ZTX658
Diodes Incorporated
ZTX688BSTZ
Diodes Incorporated
ZTX689BSTZ
Diodes Incorporated
ZTX690BSTZ
Diodes Incorporated
ZTX692BSTZ
Diodes Incorporated
ZTX718STZ
Diodes Incorporated
ZTX751STZ
Diodes Incorporated
ZTX753STZ
Diodes Incorporated
ZTX757STZ
Diodes Incorporated
ZTX758
Diodes Incorporated
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel