casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2N5401RL1G
Número de pieza del fabricante | 2N5401RL1G |
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Número de parte futuro | FT-2N5401RL1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5401RL1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 150V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Potencia - max | 625mW |
Frecuencia - Transición | 300MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5401RL1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N5401RL1G-FT |
2N4123TFR
ON Semiconductor
2N4124TA
ON Semiconductor
2N4124TAR
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2N4125TA
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2N4126TA
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AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
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Xilinx Inc.
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LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
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EPF8452AQC160-4
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EP4SGX180FF35I3
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