casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2N5210
Número de pieza del fabricante | 2N5210 |
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Número de parte futuro | FT-2N5210 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5210 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 1mA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 50nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100µA, 5V |
Potencia - max | 350mW |
Frecuencia - Transición | 30MHz |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5210 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N5210-FT |
ZUMT617TA
Diodes Incorporated
ZUMT617TC
Diodes Incorporated
ZUMT618TC
Diodes Incorporated
ZUMT717TC
Diodes Incorporated
ZUMT718TC
Diodes Incorporated
ZUMT720TC
Diodes Incorporated
ZXT14P12DXTA
Diodes Incorporated
ZXT14P40DXTA
Diodes Incorporated
APT13005SI-G1
Diodes Incorporated
APT13003DI-G1
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel