casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - JFETs / 2N5116UB
Número de pieza del fabricante | 2N5116UB |
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Número de parte futuro | FT-2N5116UB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
2N5116UB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | P-Channel |
Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | 30V |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 25mA @ 15V |
Drenaje Actual (Id) - Max | - |
Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id | 4V @ 1nA |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 27pF @ 15V |
Resistencia - RDS (On) | 175 Ohms |
Potencia - max | 500mW |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 3-SMD, No Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | UB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5116UB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N5116UB-FT |
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