casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2N4957UB
Número de pieza del fabricante | 2N4957UB |
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Número de parte futuro | FT-2N4957UB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N4957UB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 30V |
Frecuencia - Transición | - |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
Ganancia | 25dB |
Potencia - max | 200mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 30mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 3-SMD, No Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | UB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4957UB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N4957UB-FT |
HFA3127RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127RZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ96
Renesas Electronics America Inc.
BFQ790H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ19SH6327XTSA1
Infineon Technologies
LFE2M100SE-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C6
Intel
5SGSED6K3F40I3L
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EP4SGX530KH40C2
Intel
AGL600V2-CS281I
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AGL250V5-CSG196
Microsemi Corporation
LFXP6C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-2NGZ
Intel