casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2N4957UB
Número de pieza del fabricante | 2N4957UB |
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Número de parte futuro | FT-2N4957UB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N4957UB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 30V |
Frecuencia - Transición | - |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
Ganancia | 25dB |
Potencia - max | 200mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 30mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 3-SMD, No Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | UB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4957UB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N4957UB-FT |
HFA3127RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127RZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128R96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128RZ96
Renesas Electronics America Inc.
BFQ790H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ19SH6327XTSA1
Infineon Technologies
EPF10K10ATC144-3
Intel
LFXP6C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel