casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2N4922G
Número de pieza del fabricante | 2N4922G |
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Número de parte futuro | FT-2N4922G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N4922G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 60V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500µA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 500mA, 1V |
Potencia - max | 30W |
Frecuencia - Transición | 3MHz |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-225AA, TO-126-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-225AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4922G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N4922G-FT |
2SD21780SA
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XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel